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MBR20100CTF	文件：370.95 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ReverseVoltage-40to200VForwardCurrent-20A FEATURES •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed •Mountingposition:any Mechanicaldata •Case:TO-220AB •pprox.Weight:	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MBR20100CTF-E1	文件：495.71 Kbytes Page：13 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description HighvoltagedualSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitchinglossesandlownoisearerequired. Features ●LowForw	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR20100CTF-G1	文件：495.71 Kbytes Page：13 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description HighvoltagedualSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitchinglossesandlownoisearerequired. Features ●LowForw	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR20100CTF-E1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MBR20100CTF-G1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MBR20100CTG	文件：132.98 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers ThisseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •20AmpsTotal(10AmpsPerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •150°COperatingJunctionTemperature •Epoxy	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20100CTG	文件：93.79 Kbytes Page：4 Pages	Switch-modePowerRectifiers ThisseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •20AmpsTotal(10AmpsPerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •150°COperatingJunctionTemperature •Epoxy	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20100CTG	文件：482.97 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODEPowerRectifiers ThisseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •20ATotal(10APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctio	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR20100CT-G	文件：103.14 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150°CTJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Applic	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
MBR20100CT-G	文件：72.45 Kbytes Page：3 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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