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PNE20080CPE	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-Q	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-QZ	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPEZ	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE-Q	文件：264.15 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE-QZ	文件：264.15 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPEZ	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PTB20080	文件：445.22 Kbytes Page：3 Pages	25Watts,1.6-1.7GHzRFPowerTransistor Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson

详细参数

型号：
MBR20080R
制造商：
TRSYS
制造商全称：
Transys Electronics
功能描述：
SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR20080R供应商更新时间2025-7-29 16:32:00

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