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MBR180	文件：60.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE 40 to 200 Volts CURRENT 1.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • For use in low voltage,high frequenc 文件：60.62 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MBR180	文件：438.76 Kbytes Page：2 Pages	1A SCHOTTKY RECTIFIERS 1A SCHOTTKY RECTIFIERS Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. 文件：438.76 Kbytes 页数：2 Pages	DIGITRON	DIGITRON
MBR180	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● High Current Capability ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Current Capability ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Applications 文件：135.4 Kbytes 页数：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
MBR180	文件：291.293 Kbytes Page：2 Pages	1.0A 80V Schottky diode 文件：291.293 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBR180	文件：51.18 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1 AMPERE 70, 80, 90,100 VOLTS 文件：51.18 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MBR180	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率肖特基二极管(IF ≧ 1A)	Panjit 強茂	Panjit
MBR180E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20V TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200E is available in SOD-323HE Package FEATURES  Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V 0  Low power loss, high efficiency  For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection appl 文件：484.28 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBR180F	文件：435.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20 TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION Th e MBR120 F MBR1200 F are available in S OD 1 23 FL p a ckage FEATURES ⚫ M e tal silicon junction, majority carrier conduction ⚫ For surface mounted applications ⚫ Low power loss, high efficien cy ⚫ High forward surge current capability ⚫ For use in low volta ge, high fre 文件：435.52 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBR180F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes ■ Features ● Low power loss,high efficiency ● High forward surge current capability ● The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 文件：693.88 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MBR180S1	文件：364.32 Kbytes Page：5 Pages	1A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：364.32 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

VRRM Max.[V]：
80
IF[A]：
1
IFSM[A]：
30
VF@IF Max.[V]：
0.8
VF@IF Max.[A]：
1
IR@VR Max.[µA]：
50
IR@VR Max.[V]：
80
Package：
DO-41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR180供应商更新时间2025-10-3 16:50:00

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