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MBR120VLSFT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

文件:62.08 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBR120VLSF

1.0 A, 20 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount

The MBR120VLSFT1 uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode.Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.T • Guardring for Stress Protection\n• Optimized for Very Low Forward Voltage\n• 125 C Operating Junction Temperature\n• Epoxy Meets UL94, VO\n• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly\n• ESD Rated Machine Model C\n• ESD Rated Human Body Model 3B\n• Device Meets MSL 1 Requirements\n• Pb-;

ONSEMI

安森美半导体

MBR120VLSFT1G

Package:SOD-123F;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL

ONSEMI

安森美半导体

MBR120VLSFT1H

Package:SOD-123F;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY

ONSEMI

安森美半导体

MBR120VLSFT3

Package:SOD-123F;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • VRRM Min (V):

    20

  • VF Max (V):

    0.34

  • IRM Max (µA):

    600

  • IO(rec) Max (A):

    1

  • IFSM Max (A):

    45

  • Package Type:

    SOD-123FL

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更多MBR120VLSF供应商 更新时间2025-10-9 17:02:00