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MBR120ESFT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123 Package

This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system

文件:203.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBR120ESFT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

文件:62.2 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBR120ESFT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

MBR120ESFT3G

Package:SOD-123F;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MBR120ESFT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-123F

  • 供应商器件封装:

    SOD-123FL

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MBR120ESFT3G供应商 更新时间2026-1-29 14:00:00