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MBR120LSFT1G	文件：139.77 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：139.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR120LSFT1G	文件：202.64 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123 Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：202.64 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR120LSFT1G	文件：62.13 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：62.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR120LSFT1G	文件：70.94 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：70.94 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR120LSFT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBR120LSFT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123F
供应商器件封装：
SOD-123FL
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

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更多MBR120LSFT1G供应商更新时间2025-11-30 23:00:00

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