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MBR130T3G	文件：55.72 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR130T3G	文件：62 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR130T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBR130T3G	文件：201.65 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPb-Freepackageisavailable	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MBR130T3	文件：55.72 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR130T3	文件：40.77 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERES30VOLTS SurfaceMountSchottkyPowerRectifier PlasticSOD−123Package ThisdeviceusestheSchottkyBarrierprinciplewithalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificationorasfreewheelingandpolarityprotectiondiodesinsurfacemountapplicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA130T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MBRA130T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRS130T3	文件：68.28 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS130T3	文件：120.34 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •UnderwritersLaboratoryFlammabilityClass94V-0 •SchottkyBarrierRectifier •Guardringprotection •Lowforwardvoltage •Lowthermalresistancerating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBRS130T3G	文件：68.28 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS130T3G	文件：97.07 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMounthottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS130T3G	文件：218.46 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA130T3	文件：48.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA130T3	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：48.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：129.509 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA130T3G	文件：56.27 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVB130T3G	文件：62 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS130T3G	文件：97.07 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMounthottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MBR130T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123
供应商器件封装：
SOD-123
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123

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