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MBR10XX	文件：152.68 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B1	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XX	文件：255.85 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	Good-Ark Good-Ark
MBR10XX	文件：134.71 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XX	文件：319.37 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 35 to 60 Volts , Forward Current 10.0 Amperes	FS First Silicon Co., Ltd
MBR10XX	文件：292.94 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司
MBR10XX_V01	文件：152.68 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B1	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XXCT	文件：356.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER REVERSEVOLTAGE:35to200VOLTS FORWARDCURRENT:10.0AMPERE FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Foru	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司
MBR10XXX-E3	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XXX-E3	文件：255.51 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximu	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XXX-E3_V01	文件：255.51 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximu	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XX,_15	文件：129.199 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
MBR10XXX-E3_15	文件：685.3 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
MBR10XX
制造商：
GOOD-ARK
制造商全称：
GOOD-ARK Electronics
功能描述：
Schottky Barrier Rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	MBR10XX	GOOD-ARK	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MBR1100	IR	O4		3000	公司现货	询价
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更多MBR10XX供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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