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MBR1035CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1035CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1035G	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers SWITCHMODE™ Power Rectifiers Features and Benefits • Low Forward Voltage • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 175°C Operating Junction Temperature • 10 A Total • Pb−Free Packages are Available* Applications • Power Supply – Output Rectification 文件：64.44 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR1035G	文件：180.29 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODE™ Power Rectifiers Features and Benefits • Low Forward Voltage • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 175°C Operating Junction Temperature • 10 A Total • Pb−Free Packages are Available* Applications • Power Supply – Output Rectification • Power Management • Instrumentation Mechanical Cha 文件：180.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR1035PBF	文件：110.73 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Rectifier, 10 A DESCRIPTION This Schottky rectifier has been optimized for low reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and revers 文件：110.73 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR1030VL	文件：457.769 Kbytes Page：2 Pages	1.0A 30V Schottky diode 文件：457.769 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBR1030VL	文件：457.769 Kbytes Page：2 Pages	1A 30V Schottky diode 文件：457.769 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBR1030	文件：141.83 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：141.83 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
MBR1030	文件：443.35 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Recitifiers 文件：443.35 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
MBR1030	文件：1.23352 Mbytes Page：2 Pages	丝印：MDDMBR1030；Package：TO-220AC；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：1.23352 Mbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA

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技术参数

VRM_Max (V)：
300
Io_Max(A)：
10
IFSM_Max(A)：
200
Rated lo(A)：
5
VF_Max(V)：
0.975
IR@25℃IR(uA)：
0.05
IR@100℃IR(uA)：
10
Tj（℃）：
-55～+150
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MBR1035		24+		3000	公司现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	MBR1035G	ON	2015+	TO-2202	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
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芯有半导体（深圳）有限公司	MBR1035	仙童	05+	TO-220	8000	原装进口	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MBR1035G	ON	23+	TO220AC	5000	原装正品,假一罚十	询价
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