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MB85RS256TYA	文件：2.70662 Mbytes Page：43 Pages	256K (32K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS256TYA is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. This product is specifically targeted for high-temperat 文件：2.70662 Mbytes 页数：43 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS256TYAPNF-GS-BCE1	文件：2.70662 Mbytes Page：43 Pages	256K (32K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS256TYA is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. This product is specifically targeted for high-temperat 文件：2.70662 Mbytes 页数：43 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS256TYAPNF-GSBCERE1	文件：2.70662 Mbytes Page：43 Pages	256K (32K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS256TYA is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. This product is specifically targeted for high-temperat 文件：2.70662 Mbytes 页数：43 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS256TYAPN-GS-AWE1	文件：2.70662 Mbytes Page：43 Pages	256K (32K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS256TYA is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. This product is specifically targeted for high-temperat 文件：2.70662 Mbytes 页数：43 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
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MB85RS256TYA(AEC-Q100)	文件：300 bytes Page：1 Pages	FeRAM (单元)	Fujitsu 富士通	Fujitsu

技术参数

输入电压：
1.8 to 3.6V
工作频率 (MAX)：
50MHz
工作温度：
-40 to +125℃
读写耐久性 (读写次数)：
10万亿次
封装类别：
SOP-8
供货状态：
ES提供中

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MB85RS256TYA供应商更新时间2025-10-30 17:25:00

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