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MB85RS128B	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128B	文件：303.7 Kbytes Page：32 Pages	128 K (16 K횞8) ?볝긿?늆PI 文件：303.7 Kbytes 页数：32 Pages	FUJITSU 富士通	FUJITSU
MB85RS128BPNF-G-AME2	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128BPNF-G-AMERE2	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128BPNF-G-JNE1	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128BPNF-G-JNERE1	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128B	文件：300 bytes Page：1 Pages	FeRAM - SPI接口 (一般用途)	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RS128BPNF-G-JNE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RS128BPNF-G-JNERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.

技术参数

输入电压：
2.7 to 3.6V
工作频率 (MAX)：
33MHz
工作温度：
-40 to +85℃
读写耐久性 (读写次数)：
1万亿次
封装类别：
SOP-8
供货状态：
量产中
仿真模型_Verilog：
可用
仿真模型_IBIS：
可用

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市诚利顺电子科技有限公司	MB85RS128B	FUJITSU	25+	SOP-8	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
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