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MB85R4M2TFN-G-JAE2	文件：1.27781 Mbytes Page：25 Pages	4 M (256 K × 16) Bit DESCRIPTIONS The MB85R4M2T is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip consisting of 262,144 words × 16 bits of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R4M2T is able to retain data without using a back-up bat 文件：1.27781 Mbytes 页数：25 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85R4M2TFN-G	文件：720.3 Kbytes Page：23 Pages	4 M (256 K 횞 16) Bit 文件：720.3 Kbytes 页数：23 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R4M2TFN-G-ASE1	文件：57.17 Kbytes Page：2 Pages	FRAM chip consisting of 262,144 words횞16 bits of nonvolatile memory 文件：57.17 Kbytes 页数：2 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R4M2TFN-G-ASE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85R4M2TFN-G-JAE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 4MBIT 44TSOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.

产品属性

产品编号：
MB85R4M2TFN-G-JAE2
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
150ns
电压 - 供电：
1.8V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP
描述：
IC FRAM 4MBIT 44TSOP

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