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MB85R4M2TFN-G-ASE1集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

MB85R4M2TFN-G-ASE1
厂商型号

MB85R4M2TFN-G-ASE1

参数属性

MB85R4M2TFN-G-ASE1 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP

功能描述

FRAM chip consisting of 262,144 words횞16 bits of nonvolatile memory

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

57.17 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Fujitsu Component Limited.
企业简称

FUJITSU富士通

中文名称

富士通株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MB85R4M2TFN-G-ASE1

  • 制造商:

    Kaga FEI America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    150ns

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP

  • 描述:

    IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP

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