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MAX892LCSLASHD	文件：108.28 Kbytes Page：8 Pages	Current-Limited,High-SideP-ChannelSwitcheswithThermalShutdown GeneralDescription TheMAX891L/MAX892Lsmart,low-voltage,P-channel,MOSFETpowerswitchesareintendedforhigh-sideload-switchingapplications.Theseswitchesoperatewithinputsfrom2.7Vto5.5V,makingthemidealforboth3Vand5Vsystems.Internalcurrent-limitingcircuitryprotectst	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MRF892	文件：14.7 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF892isDesignedforClassAB,CellularBaseStationApplicationsupto900MHz. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •PG=8.5dBat14W/900MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
OPA892	文件：1.14398 Mbytes Page：24 Pages	OPA8922-GHz,10-V/VStable,0.95-nV/√Hz,Ultra-LowTHDOperationalAmplifier 1Features •Ultra-low0.95-nV/√Hzvoltagenoise •Highspeed: –2-GHzgain-bandwidthproduct –700-V/μsslewrate –30-nssettlingtime(0.1) •Stableatgains≥10V/V •Outputdrive,IO=200mA(typical) •Verylowdistortion: –THD=–78dBc(f=1MHz,RL=150Ω) –THD+N=–114dBc	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA892	文件：1.17751 Mbytes Page：27 Pages	OPAx8922GHz,10V/VStable,0.95nV/√Hz,Ultra-LowTHDOperationalAmplifiers 1Features •Ultra-low0.95nV/√Hzvoltagenoise •Highspeed: –2GHzgain-bandwidthproduct –700V/μsslewrate –30nssettlingtime(0.1%) •Stableatgains≥10V/V •Outputdrive,IO=200mA(typical) •Verylowdistortion: –THD=–78dBc(f=1MHz,RL=150Ω) –THD+N=–114dBc(f=	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA892DR	文件：1.17751 Mbytes Page：27 Pages	OPAx8922GHz,10V/VStable,0.95nV/√Hz,Ultra-LowTHDOperationalAmplifiers 1Features •Ultra-low0.95nV/√Hzvoltagenoise •Highspeed: –2GHzgain-bandwidthproduct –700V/μsslewrate –30nssettlingtime(0.1%) •Stableatgains≥10V/V •Outputdrive,IO=200mA(typical) •Verylowdistortion: –THD=–78dBc(f=1MHz,RL=150Ω) –THD+N=–114dBc(f=	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA892DR	文件：1.14398 Mbytes Page：24 Pages	OPA8922-GHz,10-V/VStable,0.95-nV/√Hz,Ultra-LowTHDOperationalAmplifier 1Features •Ultra-low0.95-nV/√Hzvoltagenoise •Highspeed: –2-GHzgain-bandwidthproduct –700-V/μsslewrate –30-nssettlingtime(0.1) •Stableatgains≥10V/V •Outputdrive,IO=200mA(typical) •Verylowdistortion: –THD=–78dBc(f=1MHz,RL=150Ω) –THD+N=–114dBc	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPAX892	文件：1.17751 Mbytes Page：27 Pages	OPAx8922GHz,10V/VStable,0.95nV/√Hz,Ultra-LowTHDOperationalAmplifiers 1Features •Ultra-low0.95nV/√Hzvoltagenoise •Highspeed: –2GHzgain-bandwidthproduct –700V/μsslewrate –30nssettlingtime(0.1%) •Stableatgains≥10V/V •Outputdrive,IO=200mA(typical) •Verylowdistortion: –THD=–78dBc(f=1MHz,RL=150Ω) –THD+N=–114dBc(f=	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SIR892DP	文件：343.46 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR892DP	文件：143.37 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR892DP	文件：344.25 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •Low-SideMOSFETinSynchronousBuckdc-to-dc Converters -GameMachine	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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