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S-8216A	文件：629.45 Kbytes Page：26 Pages	BATTERYPROTECTIONICFOR1-CELLPACK(SECONDARYPROTECTION)	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
STS8216	文件：442.55 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS8216	文件：185.14 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STV8216	文件：1.87169 Mbytes Page：97 Pages	MultistandardTVAudioProcessorandDigitalSoundDemodulator GeneralDescription Overview TheSTV82x6iscomposedofthreemainparts: 1.TVSoundDemodulator:providesallthenecessarycircuitryforthedemodulationofaudiotransmissionsofEuropeanandAsianterrestrialTVbroadcasts.Thevarioustransmissionstandardsareautomaticallydetectedand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TA8216H	文件：236.03 Kbytes Page：11 Pages	DualAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8216H	文件：404.58 Kbytes Page：10 Pages	DUALAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8216HQ	文件：379.35 Kbytes Page：11 Pages	DualAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8216-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8216-H	文件：213.89 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOS??H) HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications Portable-EquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=3.4nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.6mΩ(typ.) •Highforward	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UZ8216	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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