过压保护控制器，内置FET

MAX4943–MAX4946/MAX4949系列过压保护器具有低至80mΩ (典型值) RON的内部FET，可为低压系统提供高达+28V的故障保护。器件还可驱动可选的外部pFET为负载提供抵达-28V的反向电流保护。当输入电压超过过压门限时，器件关断内部FET，以防止损坏被保护元件。\n所有开关均具有1.2A过流保护。在短路情况下，MAX4944B和MAX4945B将开关置为锁定状态，并维持开关关断。对于自动重试器件，开关关断后每隔15ms (典型值)重试时间打开一次，以连续监测过载条件。\n过压门限(OVLO)预设为7.4V、6.35V、5.8V、4.56V或8.9Ｖ。欠压锁定(UVLO) ·高达+28V的输入电压保护\n·集成nFET开关\n·预设过压保护门限电压\n·7.40V (MAX4943)\n·6.35V (MAX4944_)\n·5.80V (MAX4945_)\n·4.56V (MAX4946)\n·8.90V (MAX4949)\n·低电流欠压锁定模式\n·短路保护(锁定/自动重试)\n·内部15ms (典型值)开机延时和重试时间\n·输入电源就绪逻辑输出\n·过热关断保护\n·小型、8引脚(2mm x 2mm) µDFN封装;

ADI

亚德诺

包装：托盘 类别：集成电路（IC） 专用 IC 描述：IC OVERVOLTAGE PROT CTRL 8UDFN

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亚德诺

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：1.20245 Mbytes 页数：5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested

文件：1.09111 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested

文件：1.08931 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体