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ME4946	文件：1.09111 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：1.09111 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME4946	文件：1.20245 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.20245 Mbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ME4946	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Force mos 力士科技	Force mos
ME4946A	文件：1.08931 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：1.08931 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Type：
Dual N
Schottky：
No
ESD(KV)：
N
Appication：
INVERTER
VDS(V)：
60.0
Vgs(V)：
20
Ids(A)：
6.0
Pd(W)：
2.0
Vgs(th)max(V)：
3.0
Qg(nC)(4.5V)：
13.0
Qgs(nC)：
7.0
Qgd(nC)：
7.0
Ciss(pF)：
940.0
Crss(pF)：
33.0

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