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NCA-4240	文件：579.43 Kbytes Page：2 Pages	1U19”RackmountApplianceWithIntel®AlderLakeSProcessor Features Intel®AlderLakeSProcessorWithH610E/Q670EChipset 1xGbERJ45,8x2.5GbERJ45,1xNICModule 3xPairsOfGen3SELANBypass 2x288-pinDIMMDDR54800MHz(Max.64GB) 2xUSB3.0Ports,2x2.5”HDD/SSD 1xPCIe*8FH/HL,1xM.22230(EKey) 4xSmartFans	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
NCA-4240A	文件：579.43 Kbytes Page：2 Pages	1U19”RackmountApplianceWithIntel®AlderLakeSProcessor Features Intel®AlderLakeSProcessorWithH610E/Q670EChipset 1xGbERJ45,8x2.5GbERJ45,1xNICModule 3xPairsOfGen3SELANBypass 2x288-pinDIMMDDR54800MHz(Max.64GB) 2xUSB3.0Ports,2x2.5”HDD/SSD 1xPCIe*8FH/HL,1xM.22230(EKey) 4xSmartFans	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
NCA-4240B	文件：579.43 Kbytes Page：2 Pages	1U19”RackmountApplianceWithIntel®AlderLakeSProcessor Features Intel®AlderLakeSProcessorWithH610E/Q670EChipset 1xGbERJ45,8x2.5GbERJ45,1xNICModule 3xPairsOfGen3SELANBypass 2x288-pinDIMMDDR54800MHz(Max.64GB) 2xUSB3.0Ports,2x2.5”HDD/SSD 1xPCIe*8FH/HL,1xM.22230(EKey) 4xSmartFans	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
PBSS4240	文件：187.17 Kbytes Page：2 Pages	2ANPNLowVCE(sat)(BISS)Transistor FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagementapplications ●DC/DCconverterapplications ●Strobeflashunits ●Heavydutybatt	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
PBSS4240DPN	文件：108.8 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatNPN/PNPtransistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT457(SC-74)plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •R	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4240DPN	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4240DPN	文件：704.94 Kbytes Page：13 Pages	40VlowVCEsatNPN/PNPtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardarearequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –Compl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4240T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4240T	文件：185.76 Kbytes Page：8 Pages	40V;2ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5240T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4240T-Q	文件：185.33 Kbytes Page：8 Pages	40V;2ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5240T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreduced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
MAX4240EUK-T
功能描述：
运算放大器 - 运放 1.8V 10uA Beyond the-Rails
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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