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PBSS4240DPN	文件：108.8 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor DESCRIPTION NPN/PNP low VCEsat transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High collector current gain hFE at high IC • High efficiency leading to reduced heat generation • R 文件：108.8 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4240DPN	文件：473.7 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor DESCRIPTION NPN/PNP low VCEsat transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High collector current gain hFE at high IC • High efficiency leading to reduced heat generation • R 文件：473.7 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4240DPN	文件：704.94 Kbytes Page：13 Pages	丝印：M3；Package：SOT457；40 V low VCEsat NPN/PNP transistor FEATURES •Low collector-emitter saturation voltage VCEsat •High collector current capability IC and ICM •High collector current gain hFE at high IC •High efficiency leading to reduced heat generation •Reduced printed-circuit board area requirements. APPLICATIONS •Power management: –Compl 文件：704.94 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4240DPN	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4240DPN_15	文件：473.7 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 文件：473.7 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4240DPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor NPN/PNP low VCEsat transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• High efficiency leading to reduced heat generation\n• Reduced printed-circuit board area requirements.\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
600
VCEO [max] (V)：
40
IC [max] (A)：
1.35
VCEsat [max] (NPN) (mV)：
400
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-530
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
260
hFE [min]：
300

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