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STD1802

文件：229.13 Kbytes

Page：2 Pages

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.4V(Max)(IC=3A;IB=0.15A) •DCCurrentGain-hFE=100(Min)@IC=3A •Fast-Switchingspeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •CCFLdirvers •Volt

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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