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RFVC1802SQ	文件：625.93 Kbytes Page：6 Pages	WidebandMMICVCOwithBufferAmplifier4GHzto8GHz	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFVC1802SR	文件：625.93 Kbytes Page：6 Pages	WidebandMMICVCOwithBufferAmplifier4GHzto8GHz	RFMD RF Micro Devices	RFMD
ST1802FH	文件：82.1 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWFullyPlasticTO-220forHIGHVOLTAGEAPPLICATIONS ■NEWSERIES,ENHANCHEDPERFORMANCE ■EASYMOUNTING ■HI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST1802FX	文件：178.04 Kbytes Page：10 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description TheST1802FXismanufacturedusingnewDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. Features ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPOWERPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST1802HI	文件：68.46 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCHEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING ■HIGHVOLTAGECAPABILITY ■HIGH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD1802	文件：248.9 Kbytes Page：10 Pages	Lowvoltagefast-switchingNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD1802	文件：535.73 Kbytes Page：7 Pages	LOWVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■Highcurrentgaincharacteristic ■Fa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD1802	文件：229.13 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.4V(Max)(IC=3A;IB=0.15A) •DCCurrentGain-hFE=100(Min)@IC=3A •Fast-Switchingspeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •CCFLdirvers •Volt	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STN1802	文件：51.72 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTGAINCHARACTERISTIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TA1802AM	文件：427.37 Kbytes Page：4 Pages	Wireless,RFSAWFilter	Transko Transko Electronics, Inc.	Transko

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