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MJD117G	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117-I	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP117	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD117L	文件：394.75 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain.:hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD112/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MJD117PNP	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD117RLG	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117RLG	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTRA117SS	文件：169.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitching,interfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRA117SS	文件：2.71822 Mbytes Page：3 Pages	PNPDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI

产品属性

产品编号：
MAX117EAI+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
8
采样率（每秒）：
400k
输入数：
8
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
闪存
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
3V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
3V ~ 3.6V
特性：
可选地址
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
28-SSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 8BIT FLASH 28SSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAX117EAI+T	Analog Devices Inc./Maxim Inte	25+	28-SSOP	25000	Analog Devices Inc./Maxim Integrated~ADC/DAC转换MAX1	询价
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