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MJD117	文件：394.75 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain.:hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD112/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MJD117	文件：84.64 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Application ■Lin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP117	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD117	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：250.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：388.17 Kbytes Page：10 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：391.1 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD117	文件：275.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoMJD112	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

产品属性

产品编号：
MAX117EAI+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
8
采样率（每秒）：
400k
输入数：
8
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
闪存
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
3V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
3V ~ 3.6V
特性：
可选地址
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
28-SSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 8BIT FLASH 28SSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAX117EAI+T	Analog Devices Inc./Maxim Inte	24+	28-SSOP	25000	ADC/DAC转换主营芯片-原装正品	询价
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更多MAX117EAI+T供应商更新时间2025-5-29 17:32:00

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