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MJD117	文件：286.91 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：153.95 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：793.68 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighDCcurrentgain,built-inadamperdiodeatE-C,electricallysimilartopopularTIP117. Applications Mediumpowerswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJD117	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD117	文件：385.79 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：300.27 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：281.3 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MAX117EAI+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
8
采样率（每秒）：
400k
输入数：
8
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
闪存
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
3V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
3V ~ 3.6V
特性：
可选地址
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
28-SSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 8BIT FLASH 28SSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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