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PBSS8110T	文件：133.67 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circ	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS8110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS8110T	文件：202.82 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circ	ETC	ETC
PBSS8110T	文件：1.38886 Mbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110T-Q	文件：281.57 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Qualifiedacc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110X	文件：148.26 Kbytes Page：15 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110X. Features ■SOT89package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Higheffic	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS8110X	文件：214.44 Kbytes Page：15 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110X. Features ■SOT89package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Higheffic	ETC	ETC
PBSS8110X	文件：327.72 Kbytes Page：16 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT89package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110Y	文件：185.65 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. Features ■SOT363package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyreducesheatgeneration. Applications ■Majorapplicationsegments	ETC	ETC
PBSS8110Y	文件：117.35 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. Features ■SOT363package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyreducesheatgeneration. Applications ■Majorapplicationsegments	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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深圳市一线半导体有限公司	MA8110-M	Panasonic/松下	24+	SOD-323/0805	159200	新进库存/原装	询价
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