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LX5512E-LQ

InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

DESCRIPTION The LX5512E is a power amplifier optimized for WLAN applications in the 2.4-2.5 GHz frequency range. The PA is implemented as a three-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching. The device is manufactured with an InGaP/GaAs Hete

文件:230.89 Kbytes 页数:10 Pages

Microsemi

美高森美

MAX5512

Dual, Ultra-Low-Power, 8-Bit, Voltage-Output DACs

文件:1.54489 Mbytes 页数:23 Pages

Maxim

美信

MAX5512EUA

Dual, Ultra-Low-Power, 8-Bit, Voltage-Output DACs

文件:1.54489 Mbytes 页数:23 Pages

Maxim

美信

MDU5512

Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V

文件:2.084 Mbytes 页数:9 Pages

MGCHIP

详细参数

  • 型号:

    LX5512E-LQ

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

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更多LX5512E-LQ供应商 更新时间2025-10-8 13:58:00