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LX5512E-LQ	文件：230.89 Kbytes Page：10 Pages	InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier DESCRIPTION TheLX5512EisapoweramplifieroptimizedforWLANapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.ThePAisimplementedasathree-stagemonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)withactivebiasandinput/outputpre-matching.ThedeviceismanufacturedwithanInGaP/GaAsHete	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MAX5512	文件：1.54489 Mbytes Page：23 Pages	Dual,Ultra-Low-Power,8-Bit,Voltage-OutputDACs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5512EUA	文件：1.54489 Mbytes Page：23 Pages	Dual,Ultra-Low-Power,8-Bit,Voltage-OutputDACs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MDU5512	文件：2.084 Mbytes Page：9 Pages	DualAsymmetricN-channelTrenchMOSFET30V	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDU5512URH	文件：2.084 Mbytes Page：9 Pages	DualAsymmetricN-channelTrenchMOSFET30V	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MIC5512	文件：736.05 Kbytes Page：12 Pages	Single300mALDO	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MP5512	文件：685.81 Kbytes Page：22 Pages	18V,4.5A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnitforSSDApplications	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5512GV	文件：262.25 Kbytes Page：6 Pages	18VEneryStorageandManagementUnitforSSDApplicationEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5512GV	文件：685.81 Kbytes Page：22 Pages	18V,4.5A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnitforSSDApplications	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
NE5512	文件：33.64 Kbytes Page：4 Pages	Dualhigh-performanceoperationalamplifier DESCRIPTION The5512seriesofhigh-performanceoperationalamplifiersprovidesverygoodinputcharacteristics.Theseamplifiersfeaturelowinputbiasandvoltagecharacteristicssuchasa108opampwithimprovedCMRRandahighdifferentialinputvoltagelimitachievedthroughtheuseofa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
LX5512E-LQ
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

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更多LX5512E-LQ供应商更新时间2025-7-22 13:58:00

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