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LX5512E-LQ中文资料美高森美数据手册PDF规格书

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厂商型号

LX5512E-LQ

功能描述

InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

文件大小

230.89 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Microsemi

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 11:25:00

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LX5512E-LQ规格书详情

DESCRIPTION

The LX5512E is a power amplifier optimized for WLAN applications in the 2.4-2.5 GHz frequency range. The PA is implemented as a three-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching. The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) IC process (MOCVD). It operates at a single low voltage supply of 3.3V with 34 dB power gain between 2.4-2.5GHz, at a low quiescent current of 50 mA.

KEY FEATURES

◾ Advanced InGaP HBT

◾ 2.4 – 2.5GHz Operation

◾ Single-Polarity 3.3V Supply

◾ Low Quiescent Current Icq ~50mA

◾ Power Gain ~34dB @ 2.45GHz and Pout = 19dBm

◾ Total Current 130mA for Pout = 19dBm @ 2.45GHz OFDM

◾ EVM ~ 3.0 for 64QAM / 54Mbps and Pout = 19dBm

◾ Small Footprint (3 x 3 mm2)

◾ Low Profile (0.9mm)

APPLICATIONS

◾ IEEE 802.11b/g

产品属性

  • 型号:

    LX5512E-LQ

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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