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厂商型号

LX5510B

功能描述

InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

文件大小

232.49 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Microsemi

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 12:06:00

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LX5510B规格书详情

DESCRIPTION

The LX5510B is a power amplifier optimized for WLAN applications in the 2.4-2.5 GHz frequency range. The PA is implemented as a two-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching.

The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) IC process (MOCVD). With a single supply of 3.3 volts and a low quiescent current of 70mA the power gain is 19dB 2.4 – 2.5GHz.

KEY FEATURES

◾ Advanced InGaP HBT

◾ 2.4 – 2.5GHz Operation

◾ Single-Polarity 3.3V Supply

◾ Low Quiescent Current ICQ ~70mA

◾ Power Gain ~19dB @ 2.45GHz and Pout = 19dBm

◾ Total Current 135mA for Pout = 19dBm @ 2.45GHz OFDM

◾ EVM ~ 3.0 for 64QAM / 54Mbps and Pout = 19dBm

◾ Small Footprint (3 x 3 mm2)

◾ Low Profile (0.9mm)

APPLICATIONS

◾ IEEE 802.11b/g

产品属性

  • 型号:

    LX5510B

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

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