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LSD65R650HT	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压超结VDMOS	Lonten 龙腾半导体	Lonten
IIPD65R650CE	文件：335.97 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.65Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R650CE	文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages	650V CoolMOS??CE Power Transistor 文件：1.16448 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPA65R650CE	文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.34622 Mbytes 页数：17 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology：
Super Junction
VDS(V)：
650
ID(A)：
7
PD (W) 25℃：
28
VGS(V)：
30
VGS(th)Typ(V)：
3.5
RDS(on)Typ(Ω)：
0.550
RDS(on)Max(Ω)：
0.650

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更多LSD65R650HT供应商更新时间2026-3-18 15:01:00

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