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BAS521	文件：89.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:max.50ns •HighReverseBreakdownVoltage:300V •LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521	文件：114.07 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Highswitchingspeed:trr≤50ns ■Highreversevoltage:VR≤300V ■Repetitivepe	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS521	文件：59.77 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •Highreversevoltage:VR≤200V •Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:Maximumof50ns •HighReverseBreakdownVoltage:325V •LowLeakageCurrent:Maximumof50nAwhenVR=5Vor Maximumof150nAwhenVR=250VatRoomTemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage:1.0mmx0.6mmx0.5mm •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed:max.50ns HighReverseBreakdownVoltage:300V LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature UltraSmallPlasticSMDPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521-Q	文件：199.7 Kbytes Page：9 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,encapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)flatleadSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repetitivepeakforwardcurrent:IFR	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521V	文件：359.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BAS521WT	文件：106.33 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Applications •highspeedswitching •highvoltageswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BAS521WT	文件：484.7 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS521WT	文件：235.33 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltageSwitchingDiode Applications •highspeedswitching •highvoltageswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BB521	文件：337.56 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYDIODES [ITTComponents] SCHOTTKYDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BCR521	文件：35.37 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=1kΩ,R2=1kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCR521	文件：114.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Builtinbiasresistor(R1=1kΩ,R2=1kΩ) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR521	文件：138.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR521	文件：531.46 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD521GOFJ	文件：1.25653 Mbytes Page：20 Pages	AC/DCcontrollerICforLEDlighting	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD521GOFJ-XX	文件：1.25653 Mbytes Page：20 Pages	AC/DCcontrollerICforLEDlighting	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
LPV521MGE/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 NANOPOWER, 1.8V RRIO CMOS INPUT, OP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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