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BAS521	文件：89.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features • Fast Switching Speed: max. 50 ns • High Reverse Breakdown Voltage: 300V • Low Leakage Current: 100nA at room temperature • Ultra Small Plastic SMD Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：89.74 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521	文件：59.77 Kbytes Page：8 Pages	High voltage switching diode DESCRIPTION The BAS521 is a high-voltage switching diode fabricated in planar technology and encapsulated in an ultra small SOD523 (SC-79) plastic SMD package. FEATURES • High switching speed: max. 50 ns • High continuous reverse voltage: 300 V • Repetitive peak forward current: 625 mA • Ult 文件：59.77 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BAS521	文件：336.5 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE High Speed and High Voltage Switching Diode 文件：336.5 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BAS521	文件：114.07 Kbytes Page：8 Pages	High voltage switching diode General description Single high-voltage switching diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in a SOD523 (SC-79) ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits ■ High switching speed: trr ≤ 50 ns ■ High reverse voltage: VR ≤ 300 V ■ Repetitive pe 文件：114.07 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BAS521	文件：768.09 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diodes ■ Features ● High switching speed: trr ≤ 50 ns ● High reverse voltage: VR ≤ 300 V ● Repetitive peak forward current: IFRM ≤ 1 A ● High-speed switching ● High-voltage switching 文件：768.09 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAS521	文件：271.13 Kbytes Page：4 Pages	High voltage switching diode DESCRIPTION The BAS521 is a high-voltage switching diode fabricated in planar technology and encapsulated in an ultra small SOD523 (SC-79) plastic SMD package. FEATURES • High switching speed: max. 50 ns • High continuous reverse voltage: 300 V • Repetitive peak forward current: 625 mA • Ult 文件：271.13 Kbytes 页数：4 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	丝印：L4；Package：SOD523；Single high-voltage switching diode 1. General description Single high-voltage switching diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in a SOD523 (SC-79) ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • High reverse voltage: VR ≤ 300 V • Repe 文件：194.12 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521	文件：865.69 Kbytes Page：3 Pages	Schottky barrier diode Features Fast switching speed High conductance 文件：865.69 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BAS521	文件：352.44 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4P；Package：SMD；HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：352.44 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
BAS521	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode	Diodes 美台半导体	Diodes

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
325 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
300 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
250 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4.5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.15 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
300 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
300
TotalCapacitance CT (pF)：
5 pF
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
SOD523

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更多BAS521供应商更新时间2025-9-29 16:09:00

技术参数

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