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BAS521LP-7B	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS521V	文件：359.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：359.53 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
BAS521WT	文件：484.7 Kbytes Page：3 Pages	丝印：a；Package：SOD-523；High Voltage Switching Diode 文件：484.7 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BAS521WT_11	文件：484.7 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：484.7 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BAS521-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS
BAS521LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode	Diodes 美台半导体	Diodes
BAS521,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-79，SOD-523；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-79，SOD-523；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-79，SOD-523；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523	PAM 龙鼎微	PAM

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
325 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
300 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
250 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4.5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.15 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
300 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
300
TotalCapacitance CT (pF)：
5 pF
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
SOD523

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更多BAS521供应商更新时间2025-9-29 16:09:00

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