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BAS521LP中文资料PDF规格书

BAS521LP
厂商型号

BAS521LP

参数属性

BAS521LP 封装/外壳为0402(1006 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN

功能描述

HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE

文件大小

90.12 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 17:39:00

BAS521LP规格书详情

Features

• Fast Switching Speed: Maximum of 50ns

• High Reverse Breakdown Voltage: 325V

• Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or

Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature

• Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

产品属性

  • 产品编号:

    BAS521LP-7B

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    400mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0402(1006 公制)

  • 供应商器件封装:

    X1-DFN1006-2

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
DFN1006-3
66000
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Diodes(美台)
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