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BCR521	文件：114.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Built in bias resistor (R1= 1 kΩ, R2= 1 kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：114.64 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521	文件：35.37 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=1kΩ, R2=1kΩ) 文件：35.37 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR521	文件：138.42 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：138.42 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521	文件：531.46 Kbytes Page：6 Pages	丝印：XVs；Package：SOT23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：531.46 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管 NPN硅数字晶体管 • 内置偏置电阻 (R1= 1 kΩ, R2= 1 kΩ)\n• 符合 AEC Q101 标准;	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521_07	文件：138.42 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：138.42 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521_11	文件：531.46 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：531.46 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR521E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

hFEmin：
20
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
330 mW
R1 / R2：
1
R1：
1 kΩ
R2：
1 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
1.5 100µA / 5V
Vi (on)max：
1 V
Vi (on)min：
1 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BCR521	Infineon(英飞凌)	24+	标准封装	16243	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
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更多BCR521供应商更新时间2025-12-10 23:00:00

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