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MS1226	文件：454.5 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features 30MHz 28VOLTS IMD=-28dB POUT=30WATTS GP=18dBMINIMUM CO	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MS1226	文件：61.83 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features •30MHz •28VOLTS •IMD=-28dB •POUT=30WATTS •GP=18dBMINIMUM •COMMONE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PB-1226PEAQ	文件：106 Kbytes Page：1 Pages	SalesOutlineDrawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
RN1226	文件：310.5 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications •Highcurrenttype(IC(MAX)=800mA) •Withbuilt-inbiasresistors. •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •LowVCE(sat) •ComplementarytoRN2221~2227	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1226	文件：544.28 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RTI-1226	文件：805.08 Kbytes Page：4 Pages	LowCost,STDBusCompatibleAnalogI/OSubsystems	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
S1226	文件：313.5 Kbytes Page：3 Pages	SiphotodiodeForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1226	文件：225.31 Kbytes Page：4 Pages	SIPHOTODIODE Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SW1226	文件：383.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY
SW1226	文件：424.95 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY

详细参数

型号：
LPC1226
功能描述：
ARM微控制器 - MCU CORTEX M0 96K FL 8K DMA CRC ADC COMPARTR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
核心：
ARM Cortex M4F
处理器系列：
STM32F373xx
数据总线宽度：
32 bit
最大时钟频率：
72 MHz
程序存储器大小：
256 KB 数据 RAM
大小：
32 KB 片上
ADC：
Yes
工作电源电压：
1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C
封装/箱体：
LQFP-48
安装风格：
SMD/SMT

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