MS1226中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MS1226 |
| 参数属性 | MS1226 封装/外壳为M113；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 文件大小 |
454.5 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 22:51:00 |
MS1226规格书详情
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -28 dB
POUT = 30 WATTS
GP = 18 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
产品属性
- 产品编号：
MS1226
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
36V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4.5A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M113
- 供应商器件封装：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LAMBDA |
23+ |
模块 |
3500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Maximum(迈思希姆) |
23+ |
TO252 |
6000 |
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Microsemi |
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