MS1226分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1226 |
| 参数属性 | MS1226 封装/外壳为M113；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封装外壳 | M113 |
| 文件大小 |
61.83 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 22:50:00 |
| 人工找货 | MS1226价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1226规格书详情
MS1226属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1226晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
特性 Features
• 30 MHz
• 28 VOLTS
• IMD = -28 dB
• POUT = 30 WATTS
• GP = 18 dB MINIMUM
• COMMON EMITTER CONFIGURATION
产品属性
更多- 产品编号：
MS1226
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
36V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4.5A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M113
- 供应商器件封装：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LAMBDA |
23+ |
模块 |
3500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
UniOhm |
16+ |
2512 |
1500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MICROSE |
24+ |
110 |
现货供应 |
询价 | |||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MSC |
24+ |
SMD |
1 |
询价 | |||
UniOhm |
22+ |
2512 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
M113 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
25+ |
M113 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ASI |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
