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LP3	文件：3.71446 Mbytes Page：27 Pages	Single Row Terminal Blocks 文件：3.71446 Mbytes 页数：27 Pages	EATON 伊顿	EATON
LP3	文件：999.71 Kbytes Page：8 Pages	Single Row Terminal Blocks 文件：999.71 Kbytes 页数：8 Pages	EATON 伊顿	EATON
ADM7150ACPZ-1.8-R2	文件：801.26 Kbytes Page：24 Pages	丝印：LP3；Package：LFCSP_WD；800 mA Ultralow Noise, High PSRR, RF Linear Regulator 文件：801.26 Kbytes 页数：24 Pages	AD 亚德诺	AD
ADM7150ACPZ-1.8-R7	文件：801.26 Kbytes Page：24 Pages	丝印：LP3；Package：LFCSP_WD；800 mA Ultralow Noise, High PSRR, RF Linear Regulator 文件：801.26 Kbytes 页数：24 Pages	AD 亚德诺	AD
LP3000	文件：44.96 Kbytes Page：2 Pages	2 W POWER PHEMT DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct write 0.25 mm by 3000 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minim 文件：44.96 Kbytes 页数：2 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP3000	文件：49.74 Kbytes Page：2 Pages	2W Power PHEMT DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 3000 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minim 文件：49.74 Kbytes 页数：2 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP3000P100	文件：47.9 Kbytes Page：3 Pages	PACKAGED 2W POWER PHEMT ● DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000P100 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mm x 3000 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed “ 文件：47.9 Kbytes 页数：3 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP3000SOT89	文件：44.15 Kbytes Page：3 Pages	LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT ● DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000SOT89 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mm x 3000 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed 文件：44.15 Kbytes 页数：3 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP3000SOT89-1	文件：44.15 Kbytes Page：3 Pages	LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT ● DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000SOT89 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mm x 3000 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed 文件：44.15 Kbytes 页数：3 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP3000SOT89-2	文件：44.15 Kbytes Page：3 Pages	LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT ● DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP3000SOT89 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 mm x 3000 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed 文件：44.15 Kbytes 页数：3 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC

技术参数

IH(A)：
0.90
IT(A)：
1.80
Max Trip Current(A)：
4.50
Max Trip Time(s)：
7.1
Vmax(V)：
30
Imax(A)：
40
Pdtyp(W)：
0.91
Rmin(Ω)：
0.070
Rmax(Ω)：
0.120
R1max(Ω)：
0.220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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