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LN10N10

10A/100V 耐压 N 沟道增强型场效应管

Natlinear

南麟

MCU10N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:502.61 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

MTD10N10EL

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

文件:93.35 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD10N10EL

TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

文件:79.09 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 封装形式:

    ESOP8/TO252

  • Vds(V):

    100

  • ID(A)25°C:

    10

  • VGS(±V):

    20

  • VGS(th)Typ (V):

    1.9

  • Rdson@10V Typ(mΩ):

    110

  • Rdson@10V Max(mΩ):

    130

  • Rdson@4.5V Tpy(mΩ):

    120

  • Rdson@4.5V Max(mΩ):

    140

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NA
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更多LN10N10供应商 更新时间2026-3-18 10:31:00