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LND821	文件：115.57 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION TheLND820seriesprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoappro	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LP821	文件：35.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
LPCSMT821	文件：571.7 Kbytes Page：7 Pages	SMDShieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Providesmagneticshieldingagainstradiation •Electrodedirectlyconnectedtoferritecore •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues •Operatingtemperature40~125ºC •100%RoHScompliantandleadfreewithoutexemption	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPCT821	文件：609.04 Kbytes Page：8 Pages	SMDUnshieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Silverplatedforlowcostdesign •Availableontapeandreelforautosurfacemounting •100%RoHScompliantandleadfreewithoutexemption •Halogenfree •REACHcompliant •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues A	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPV821	文件：1.4379 Mbytes Page：24 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LPV821	文件：407.25 Kbytes Page：18 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LPV821DBVR	文件：1.4379 Mbytes Page：24 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LQ821	文件：35.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
LW821	文件：380.81 Kbytes Page：1 Pages	High-BrightnessWhite	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
M-821PVF	文件：213.25 Kbytes Page：1 Pages	SURGEPROTECTOR	OKAYAOKAYA ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 冈谷电机工业株式会社	OKAYA

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详细参数

型号：
LMV821IDCKR
功能描述：
运算放大器 - 运放 Single Low-Voltage Low Power RRO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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