LMG3614 650V 170mΩ GaN FET With Integrated Driver

1 Features • 650V 170mΩ GaN power FET • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control • Overtemperature protection with FLT pin reporting • AUX quiescent current: 55μA • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V • 8mm × 5.3mm QFN package w

文件：1.26874 Mbytes 页数：29 Pages

TI

德州仪器

丝印：LMG3614NNNNC；Package：VQFN；LMG3614 650V 170mΩ GaN FET With Integrated Driver

1 Features • 650V 170mΩ GaN power FET • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control • Overtemperature protection with FLT pin reporting • AUX quiescent current: 55μA • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V • 8mm × 5.3mm QFN package w

文件：1.26874 Mbytes 页数：29 Pages

TI

德州仪器

具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3614 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。\n\n可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。\n\nLMG3614 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。 650V 170mΩ GaN 功率 FET\n \n具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器\n \n通过 FLT 引脚报告实现过热保护\n \nAUX 静态电流： 55µA\n \n最大电源和输入逻辑引脚电压：26V\n \n带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装;

TI

德州仪器

4A, 4MHz Monolithic Synchronous Step-Down DC/DC Converter

文件：451.23 Kbytes 页数：28 Pages

LINER

凌力尔特

5V, 12.5A Synchronous Step-Down Silent Switcher 2 in 3mm x 3mm LQFN

文件：2.74276 Mbytes 页数：28 Pages

AD

亚德诺

5V, 12.5A Synchronous Step-Down Silent Switcher in 3mm x 3mm LQFN

文件：2.79594 Mbytes 页数：26 Pages

AD

亚德诺