| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：LMG3612；Package：VQFN；LMG3612 650-V 120-mΩ GaN FET With Integrated Driver 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting •AUXquiescentcurrent:55μA •Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V •8mm×5.3mmQFNpac | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 |
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