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LMG3616REQR

Marking:LMG3616;Package:VQFN;LMG3616 650-V 270-mΩ GaN FET With Integrated Driver

1Features •650-V270-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting •AUXquiescentcurrent:55μA •Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V •8mm×5.3mmQFNpac

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

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