丝印：R070；Package：VQFN；600-V 70-m(ohm) GaN with Integrated Driver and Protection

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丝印：LMG3410R070；Package：VQFN；600-V 70-m(ohm) GaN with Integrated Driver and Protection

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丝印：LMG3410R070；Package：VQFN；600-V 70-m(ohm) GaN with Integrated Driver and Protection

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丝印：R070；Package：VQFN；600-V 70-m(ohm) GaN with Integrated Driver and Protection

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600-V 150-m廓 GaN With Integrated Driver And Protection

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600-V 150-m廓 GaN With Integrated Driver And Protection

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600-V 150-m廓 GaN With Integrated Driver And Protection

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600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage

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具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。\n\nLMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试\n• 支持高密度电源转换设计 \n• 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能\n• 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局 \n• 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制\n• 数字故障状态输出信号\n• 仅需 +12V 非稳压电源\n \n• 集成栅极驱动器 \n• 零共源电感\n• 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率\n• 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性\n• 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率\n \n• 强大的保护 \n• 无需外部保护组件 \n• 过流保护;

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具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。\n\nLMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试 \n• 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能\n• 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制\n• 仅需 +12V 非稳压电源\n• 集成栅极驱动器 \n• 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率\n• 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率\n• 强大的保护 \n• 过流保护，响应时间低于 100ns\n• 瞬态过压抗扰度\n• 针对所有电源轨的 UVLO 保护\n• 器件选项： \n• LMG3411R150：逐周期过流保护;

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