LM74912-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。

特性 Features

• AEC-Q100 qualified for automotive applications
• Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
• Device HBM ESD classification level 2
• Device CDM ESD classification level C4B

• 3-V to 65-V input range
• Reverse input protection down to –65 V
• Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain configuration
• Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation
• Low reverse detection threshold (–10.5 mV) with fast response (0.5 µs)
• 20-mA peak gate (DGATE) turn-on current
• 2.6-A peak DGATE turn-off current
• Adjustable overvoltage and undervoltage protection
• Output short circuit protection with MOSFET latched off state
• Ultra low power mode with 2.5-µA shutdown current (EN=Low)
• SLEEP mode with 6-µA current (EN=High, SLEEP=Low)
• Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable transient voltage suppressor (TVS) diode
• Available in 4 mm × 4 mm 24-pin VQFN package