LM74912-Q1中文资料具有集成过压和短路保护以及故障输出功能的汽车理想二极管数据手册TI规格书

描述 Description

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。

特性 Features

• AEC-Q100 qualified for automotive applications
• Device HBM ESD classification level 2
• 3-V to 65-V input range
• Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain configuration
• Low reverse detection threshold (–10.5 mV) with fast response (0.5 µs)
• 2.6-A peak DGATE turn-off current
• Output short circuit protection with MOSFET latched off state
• SLEEP mode with 6-µA current (EN=High, SLEEP=Low)
• Available in 4 mm × 4 mm 24-pin VQFN package