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LM74900-Q1中文资料具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管数据手册TI规格书
LM74900-Q1规格书详情
描述 Description
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
特性 Features
• AEC-Q100 qualified for automotive applications
• 3-V to 65-V input range
• Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common drain configuration
• Low reverse detection threshold (–3 mV) with fast response (0.5 µs)
• 2.6-A peak DGATE turnoff current
• Analog current monitor output with 10% accuracy (IMON)
• Low 2.87-µA shutdown current (EN=Low)
• Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
• Available in space saving 24-Pin VQFN package
技术参数
- 制造商编号
：LM74900-Q1
- 生产厂家
：TI
- Vin (max) (V)
：65
- Number of channels
：1
- Features
：Adjustable current limit
- Iq (typ) (mA)
：0.63
- FET
：External back-to-back FET
- IGate source (typ) (µA)
：18500
- IGate sink (typ) (mA)
：2670
- Operating temperature range (°C)
：-40 to 125
- Rating
：Automotive
- Shutdown current (ISD) (mA) (A)
：0.002857
- Device type
：Ideal diode controller
- Product type
：Ideal diode controller
- 封装
：VQFN (RGE)
- 引脚
：24
- 尺寸
：16 mm² 4 x 4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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询价 |
