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LM74722-Q1中文资料具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器数据手册TI规格书
LM74722-Q1规格书详情
描述 Description
LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。
特性 Features
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
• 器件 HBM ESD 分类等级 2
• 3V 至 65V 输入范围
• 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
• 13mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
• 集成型 30mA 升压稳压器
• 快速响应反向电流阻断:0.5µs
• 可调节过压保护
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
技术参数
- 制造商编号
:LM74722-Q1
- 生产厂家
:TI
- Vin (Max) (V)
:65
- Features
:Enable
- Iq (Typ) (mA)
:0.032
- Iq (Max) (mA)
:0.038
- IGate pulsed (Typ) (A)
:2.1
- Operating temperature range (C)
:-40 to 125
- VSense reverse (Typ) (mV)
:-6.5
- Design support
:EVM
- Rating
:Automotive
- Channel(s) controlled (#)
:1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
原封装 |
798000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | |||
NS |
25+23+ |
CAN |
22138 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NS |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NS |
2138+ |
CAN |
8960 |
专营军工产品,进口原装 |
询价 | ||
NSC |
23+ |
CAN10 |
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询价 | ||
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CAN10 |
67500 |
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询价 | ||
Texas Instruments |
25+ |
原封装 |
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询价 | ||
NSC |
24+ |
CAN10 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
TO-100 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |