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LM74722-Q1中文资料具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器数据手册TI规格书

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厂商型号

LM74722-Q1

功能描述

具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:36:00

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LM74722-Q1规格书详情

描述 Description

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

特性 Features

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
• 器件 HBM ESD 分类等级 2
• 3V 至 65V 输入范围
• 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
• 13mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
• 集成型 30mA 升压稳压器
• 快速响应反向电流阻断:0.5µs
• 可调节过压保护
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

技术参数

  • 制造商编号

    :LM74722-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Vin (Max) (V)

    :65

  • Features

    :Enable

  • Iq (Typ) (mA)

    :0.032

  • Iq (Max) (mA)

    :0.038

  • IGate pulsed (Typ) (A)

    :2.1

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • VSense reverse (Typ) (mV)

    :-6.5

  • Design support

    :EVM

  • Rating

    :Automotive

  • Channel(s) controlled (#)

    :1

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