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LM74700D-Q1中文资料3.2V 至 70V、80µA 汽车级反向电池保护理想二极管控制器数据手册TI规格书
LM74700D-Q1规格书详情
描述 Description
LM74700D-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，可与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。
该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，专为在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统而设计。
LM74700D-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700D-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。
特性 Features
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
• 器件 HBM ESD 分类等级 2
• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
• 使能引脚特性
• 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
•
技术参数
- 制造商编号
：LM74700D-Q1
- 生产厂家
：TI
- Vin (max) (V)
：70
- Number of channels
：1
- Features
：Automotive load dump compatibility
- Iq (typ) (mA)
：0.08
- Iq (max) (mA)
：0.13
- FET
：External single FET
- IGate source (typ) (µA)
：11000
- IGate sink (typ) (mA)
：2370
- IGate pulsed (typ) (A)
：2.37
- Operating temperature range (°C)
：-40 to 125
- VSense reverse (typ) (mV)
：-11
- Design support
：EVM
- Rating
：Automotive
- Shutdown current (ISD) (mA) (A)
：0.001
- Device type
：Ideal diode controller
- Product type
：Ideal diode controller
- 封装
：SOIC (D)
- 引脚
：8
- 尺寸
：29.4 mm² 4.9 x 6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
原封装 |
66330 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
TI |
23+ |
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TI(德州仪器) |
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TSOT-23-8 |
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公司只做原装正品,假一赔十 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
SOT-23-6 |
3000 |
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TI |
23+ |
SOT23-6 |
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TI |
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SOT23-8 |
39500 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
SOT23-6 |
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TI(德州仪器) |
25+ |
TSOT-23-8 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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TI德州仪器 |
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24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
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