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LM74700D-Q1

LM74700D-Q1 Automotive Low IQ Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C4B • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V start-up) • –65-V reverse voltag

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LM74700D-Q1

3.2V 至 70V、80µA 汽车级反向电池保护理想二极管控制器

LM74700D-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,可与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。\n\n该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 ( • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性 \n• 器件 HBM ESD 分类等级 2\n• 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)\n• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵\n• 使能引脚特性\n• 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)\n•;

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技术参数

  • Vin (max) (V):

    70

  • Number of channels:

    1

  • Features:

    Automotive load dump compatibility

  • Iq (typ) (mA):

    0.08

  • Iq (max) (mA):

    0.13

  • FET:

    External single FET

  • IGate source (typ) (µA):

    11000

  • IGate sink (typ) (mA):

    2370

  • IGate pulsed (typ) (A):

    2.37

  • Operating temperature range (°C):

    -40 to 125

  • VSense reverse (typ) (mV):

    -11

  • Design support:

    EVM

  • Rating:

    Automotive

  • Shutdown current (ISD) (mA) (A):

    0.001

  • Device type:

    Ideal diode controller

  • Product type:

    Ideal diode controller

  • 封装:

    SOIC (D)

  • 引脚:

    8

  • 尺寸:

    29.4 mm² 4.9 x 6

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更多LM74700D-Q1供应商 更新时间2025-10-13 15:05:00