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LM74722-Q1

LM74722-Q1 Automotive Low IQ Ideal Diode Controller with 200-kHz Active Rectification and Load Dump Protection

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C4B • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –65 V

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LM74722-Q1

LM74722-Q1 Low IQ Ideal Diode Controller With 200-KHz Active Rectification and Load Dump Protection

文件:3.52052 Mbytes 页数:30 Pages

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LM74722-Q1

具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输 • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性 \n• 器件 HBM ESD 分类等级 2\n• 3V 至 65V 输入范围\n• 低静态电流:运行时 35µA(最大值)\n• 13mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行\n• 集成型 30mA 升压稳压器\n• 快速响应反向电流阻断:0.5µs\n• 可调节过压保护\n• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装;

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LM74722-Q1_V01

LM74722-Q1 Automotive Low IQ Ideal Diode Controller with 200-kHz Active Rectification and Load Dump Protection

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C4B • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –65 V

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技术参数

  • Vin (Max) (V):

    65

  • Features:

    Enable

  • Iq (Typ) (mA):

    0.032

  • Iq (Max) (mA):

    0.038

  • IGate pulsed (Typ) (A):

    2.1

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • VSense reverse (Typ) (mV):

    -6.5

  • Design support:

    EVM

  • Rating:

    Automotive

  • Channel(s) controlled (#):

    1

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更多LM74722-Q1供应商 更新时间2025-10-12 12:14:00